英特尔的64层QLC闪存被曝良率只有48%,你怎么看?英特尔64层QLC闪存良率仅48%,技术挑战还是生产问题?

5个月前 (06-08 00:39)阅读2回复0
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据报道,英特尔的64层QLC闪存良率仅为48%,这一消息引起了业界广泛关注,QLC闪存是一种高密度存储技术,能够提供更高的存储容量和更低的成本,但良率问题可能会影响其大规模生产和市场应用。,对于这一情况,业内专家表示,良率问题可能是由多种因素导致的,包括制造工艺、材料选择和设计等方面的问题,如果良率问题不能得到有效解决,将影响英特尔在QLC闪存市场的竞争力,并可能对其他采用类似技术的厂商产生影响。,良率问题也提醒我们,在追求更高密度和更低成本的存储技术时,必须注重制造工艺和质量控制,以确保产品的可靠性和稳定性,对于消费者而言,这也提醒我们在选择存储设备时,除了考虑价格和容量外,还需要关注其可靠性和耐久性。

在2018年,QLC闪存作为新一代存储技术,正式迈入市场,由英特尔、美光、三星、东芝、西数及SK Hynix等巨头推动,其成本优势显著,使得QLC硬盘迅速上市,英特尔作为行业先锋,推出了64层堆栈的QLC闪存硬盘660P系列,以512GB版仅100美元的价格震撼市场,这一举措无疑让消费者对QLC闪存寄予厚望。

英特尔的64层QLC闪存被曝良率只有48%,你怎么看?

尽管QLC闪存在价格上具有明显优势,其可靠性问题却成为厂商们的一大挑战,据报道,英特尔的64层QLC闪存良率仅为48%,意味着每两颗中就有一颗是“废品”,这无疑增加了生产成本和风险,相比之下,TLC闪存的良率已达到90%以上,显示出其技术成熟度。

在性能方面,660P硬盘的表现虽不算顶尖,但也不失为中规中矩,读写速度达到1800MB/s,随机读写IOPS为220K,对于一款低价M.2 SSD而言,这样的表现足以满足日常使用需求。

尽管如此,QLC闪存仍面临诸多挑战,制造成本高于TLC闪存,良率问题亟待解决,有消息称,由于工程资源将更多地投入到更有前景的96层堆栈QLC闪存上,64层堆栈的QLC闪存可能永远无法达到理想的良率水平。

英特尔的64层QLC闪存被曝良率只有48%,你怎么看?

尽管如此,英特尔的这一举动无疑为市场带来了新的活力,也预示着存储技术的不断进步,对于消费者而言,虽然目前QLC闪存硬盘的价格优势明显,但其可靠性仍需时间验证,随着技术的不断成熟和成本的进一步降低,QLC闪存有望在市场上占据一席之地。

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